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2017

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MOVCD机钨钼零件

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  金属有机化学气相沉积(MOCVD)

 

MOVCD机钨钼零件

 

  金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD)是技术生长III-V族,II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与V族的氢化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反应室,在加热的衬底表面发生反应,外延生长化合物晶体薄膜。

  LED的发光核心是一种称为外延片(Epitaxial Slice)的复合材料,由于Mocvd技术在外延片上的成功运用,使得此种设备使用量迅速增加。

  由于MOCVD设备工作时工作温度高于2000℃,钨钼也是该设备部分组件的材料。

 

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