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离子注入机用离子源

【概要描述】离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体的掺杂，即使用钨丝作为阴极发射电子轰击含有特定的杂质元素的气体分子，产生电离的特定杂质原子经静电场加速后打到硅单晶圆片表面，并打入半导体内部，改变导电特性并最终形成晶体管结构。  

离子注入机用离子源

【概要描述】离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体的掺杂，即使用钨丝作为阴极发射电子轰击含有特定的杂质元素的气体分子，产生电离的特定杂质原子经静电场加速后打到硅单晶圆片表面，并打入半导体内部，改变导电特性并最终形成晶体管结构。

 


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　　半导体行业离子注入机离子源钨钼组件

 

离子注入机用离子源

 

　　离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术，其利用离子注入机实现半导体的掺杂，即使用钨丝作为阴极发射电子轰击含有特定的杂质元素的气体分子，产生电离的特定杂质原子经静电场加速后打到硅单晶圆片表面，并打入半导体内部，改变导电特性并最终形成晶体管结构。

 

离子注入机用离子源

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下一个: 波导元件
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发热体 2017-11-21 00:00:00
由于钨和钼材料具有较低饱和蒸气压，热膨胀系数低，并具有很好的高温强度，所以是高温炉内发热元件的较好的选择。我们通常推荐钼发热体使用温度不高于2000摄氏度，钨发热体不高于2800摄氏度。经过掺杂镧、铝及钾的钨和钼发热体，再结晶温度明显提高，从而提升了抗蠕变性能，同时耐氧化性也有所提升。
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隔热屏 2017-11-21 00:00:00
在1300摄氏度至2800摄氏度范围适于选择钨钼材料作为隔热屏。它通过热量反射及阻隔对流的方式将热量保留在有效区间内。由于材料特性所限，钨钼屏通常采用铆接方式，可以对接或搭接。由于采用激光切割等设备下料，孔位定位准确，不会造成装配困难。由于采用了特殊的退火及定型工艺，爱科麦生产的隔热屏版型平整，各层间距均匀。各层屏之间可采用波纹板、u型格条或钼丝簧以及隔环间隔，并以钼丝或钨丝卡以及钨或钼螺丝固定。
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热等静压筒 2017-11-21 00:00:00
热等静压机内使用的隔热屏被称为热等静压筒，热等静压筒在2000摄氏度及2000兆帕条件下工作，比普通隔热屏要求更高。为保证气密性，爱科麦在焊接的基础上采取了热喷涂工艺。爱科麦可以制作钼及钽热等静压筒，并可旋压制作热等静压筒盖。
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坩埚 2017-11-21 00:00:00
钨粉或钼粉直接烧结成型，或热等静压成型。多用制作于烧结炉、长晶炉、玻璃熔炼及稀土冶炼设备的大型坩埚，特别是KY法、导模法和热交换法蓝宝石晶体生长炉中大量使用用此类坩埚。其壁厚通常在8到15毫米;直径通常为100到600毫米;高度通常为50到700毫米。此种坩埚纯度：W≥99.95%;密度通常可达18.2g/cm³，特殊需求下采用热等静压技术密度可达18.8g/cm³以上。钼坩埚的密度通常可达10.0g/cm³左右。
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承载舟 2017-11-21 00:00:00
在烧结炉或热处理炉中，当被处理材料为粉末状、颗粒状时，需使用钨或钼材料制成的容器，根据被处理材料形状及通气条件不同，承载舟被设计成不同形状。根据使用温度及强度以及纯净度不同要求，爱科麦可以提供纯钨、纯钼、及钨合金与钼合金材质的舟皿。　　爱科麦制造的钨钼承载舟抗高温形变性能好，尺寸精度高。
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料架 2017-11-21 00:00:00
料架用于高温退火炉及烧结炉中放置及转运需处理的工件，对制作料架材料高温强度有很高要求，为了增强材料抗蠕变性能及高温强度，爱科麦可以制作钼镧合金以及钼锆钛合金料架。
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紧固件 2017-11-21 00:00:00
洛阳爱科麦可以为您生产英制或公制的钨或钼螺丝或螺母。同时可为您制作钨或钼铆钉、卡扣、垫圈、隔环等紧固元件。
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单晶硅炉用钨钼材料 2017-11-21 00:00:00
由于钨钼材料具有耐高温、低挥发被广泛应用于单晶硅炉硅多晶硅炉中。单晶硅行业配件使用说明：钨丝绳，又名引晶软轴，钨丝绕成股的方向和股捻成绳的方向相同称为同向捻,如绳股全部右捻称为右同向捻;绳股全部左捻,称为左同向捻。这种钨丝绳钨丝之间接触较好,表面比较平滑,挠性好,磨损小,使用寿命较长，但是容易松散和扭转;钨丝绕成股的方向和股捻成绳的方向相反称为交互捻,如绳右捻,股左捻,称为右交互捻;绳左捻,股右捻,称为左交互捻。这种钨丝绳的缺点是僵性较大,使用寿命较低,但不容易松散和扭转;钨丝绕成股的方向和股捻成绳的方向一部分相同,一部分相反,称为混合捻，混合捻具有同向捻和交互捻的特点,但制造工艺比较复杂。
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